1940ВК018 контроллер NAND флеш-памяти для радиационно-стойких запоминающих устройств

1940ВК018 контроллер NAND флеш-памяти в металлокерамическом корпусе предназначен для создания твердотельных накопителей, отличающихся повышенной надежностью, стойкостью к ионизирующему излучению космического пространства (ИИ КП) и расширенным диапазоном рабочих температур

Преимущества:

  • Интерфейсы: TLK, MCU, PCI, Serial
  • Поддержка SLC NAND флеш-памяти ёмкостью до 256 Гбайт
  • Скорость чтения/записи данных по последовательным адресам 150 Мбайт/с
  • Стойкость к экстремальным условиям эксплуатации, в том числе к ионизирующему излучению космического пространства
  • Схемотехнические и топологические методы повышения надежности хранения данных в условиях ионизирующего излучения космического пространства

Демонстрационно-отладочная плата для 5023ВС016 и 1940ВК018, версия 1.3.1

По вопросам приобретения или для уточнения характеристик обращайтесь по электронной почте sales@dsol.ru или по телефону +7 (495) 778-19-58

Описание:

Чтение и запись данных реализованы с помощью четырех независимых каналов. Поддержка стандарта ONFI 2.2 позволяет читать и записывать данные со скоростью 400 MT/s на один канал. Микросхема 1940ВК018 поддерживает работу с NAND флеш-памятью по страницам размером 2/4/8 Кбайт. Стойкость микросхемы к ионизирующему излучению космического пространства обеспечивается с помощью увеличенной избыточности в аппаратно-реализованных блоках коррекции ошибок на основе кодов БЧХ, применением схем мажоритарного контроля и резервирования, и использованием при проектировании радиационно-стойкой библиотеки.

Основные характеристики:

  • Поддерживаемые интерфейсы: TLK, MCU, PCI, Serial
  • Скорость чтения/записи данных по последовательным адресам 150 Мбайт/с
  • NAND флеш интерфейс:
    • Поддержка SLC NAND флеш-памяти серии M73A ёмкостью до 256 Гбайт
    • Поддержка SLC NAND флеш-памяти компании 3D Plus ёмкостью до 256 Гбайт
    • 4-х канальный флеш интерфейс
    • 32 вывода выбора внешнего устройства (Chip Enable)
    • Напряжение питания NAND флеш интерфейса: 1,8 В/3,3 В
  • Поддерживаемые функции:
    • Контроль износа блоков (Wear Leveling)
    • Защита от внезапного отключения электропитания
  • Процессор:
    • Ядро RISC CPU
    • Разрядность 8 бит
    • Количество ядер 1 шт.
  • Технология изготовления кристаллов 0,18 мкм
  • Корпус:
    • Металлокерамический корпус: DBGA, СBGA, CCGA
    • Количество выводов 399 шт.
  • Напряжение питания ядра 1,8 В
  • Стойкость к ИИ КП:
    • Предельная накопленная доза не менее 100 крад
    • Пороговая ЛПЭ возникновения тиристорного эффекта не менее 60 МэВ·см2/мг
  • Рабочая температура от – 60 до + 125 °С

Структурная схема:

Контроллер интерфейса TLK – контроллер интерфейса TLK2711-SP
Контроллер интерфейса MCU – контроллер интерфейса асинхронной шины
Контроллер интерфейса Serial – контроллер приёмопередатчика последовательного интерфейса
DMA контроллер - аппаратный блок организации обмена информации между интерфейсами TLK, MCU, PCI, Serial и интерфейсом к NAND флеш-памяти
Флеш контроллер – четырёхканальный приёмопередатчик к массиву NAND флеш-памяти, соответствующий спецификации ONFI 2.2
Процессор – микропроцессорное ядро, реализованное по гарвардской архитектуре с сокращённым набором функций
Таблица LUN – используется для реализации механизмов отображения физических блоков на область логических блоков
I2C, SPI, UART, GPIO - интерфейсы для подключения внешней периферии (датчиков, памяти)

Хотите купить? Отправьте запрос!

* Соглашаюсь на обработку персональных данных

Отправить