1937BK018 контроллер NAND флеш-памяти для SSD с интерфейсом SATA 6Gb/s

Контроллер NAND флеш-памяти в металлокерамическом корпусе предназначен для создания высокоскоростных твердотельных накопителей с интерфейсом SATA 6Gb/s, отличающихся повышенной надежностью и расширенным диапазоном рабочих температур

Преимущества:

  • Интерфейс SATA 6Gb/s c поддержкой SATA 3Gb/s и SATA 1.5Gb/s
  • Поддержка SLC, MLC, TLC, 3D NAND флеш-памяти ёмкостью до 4 Тбайт
  • Скорость чтения/записи данных по последовательным адресам 550/530 Мбайт/с
  • Стойкость к экстремальным условиям эксплуатации
  • Гарантия отсутствия недекларированных возможностей: схемотехника, топология и встроенное программное обеспечение разработаны специалистами НПП «Цифровые решения»

Дата начала серийных поставок I квартал 2021 года

По вопросам приобретения или для уточнения характеристик обращайтесь по электронной почте sales@dsol.ru или по телефону +7 (495) 778-19-58

Описание:

Чтение и запись данных реализованы с помощью четырех независимых каналов. Поддержка стандарта ONFI 3.0 позволяет читать и записывать данные со скоростью 400 MT/s на один канал. Микросхема 1937ВК018 поддерживает работу с NAND флеш-памятью по страницам размером 2/4/8/16 Кбайт. Аппаратный блок коррекции ошибок обеспечивает исправление до 72 битовых ошибок в блоке размером 1 Кбайт с помощью кодов БЧХ. Микросхема 1937ВК018 поддерживает два режима работы – с использованием динамической памяти и без использования динамической памяти (DRAM-less).

Основные характеристики:

  • Интерфейс SATA 6Gb/s c поддержкой SATA 3Gb/s и SATA 1.5Gb/s
  • Скорость чтения/записи данных по последовательным адресам 550/530 Мбайт/с
  • Производительность записи/чтения данных по случайным адресам 80 000 IOPS
  • NAND флеш интерфейс:
    • Поддержка SLC, MLC, TLC, 3D NAND флеш-памяти ёмкостью до 4 Тбайт
    • 4-х канальный флеш интерфейс
    • 32 вывода выбора внешнего устройства (Chip Enable)
    • Напряжение питания NAND флеш интерфейса: 1,8 В/3,3 В
  • Поддержка динамической памяти: DDR3, DDR3L
  • Поддержка режима DRAM-less
  • Поддержка функций: S.M.A.R.T., DEVSLP, TRIM, NCQ, ATA, ATAPI-8, ACS-3, быстрое стирание
  • Процессор:
    • Ядро RISC-V
    • Разрядность 32 бит
    • Количество ядер 2 шт.
  • Встроенный датчик температуры
  • Технология изготовления кристаллов 40 нм
  • Корпус:
    • Металлокерамический корпус МК 8314.324-1, тип LGA
    • Количество выводов 324 шт.
    • Размер корпуса 19х19х5 мм
    • Шаг выводов 1 мм
  • Напряжение питания ядра 1,1 В
  • Рабочая температура от – 60 до + 85 °С
  • Ударопрочность 1 500 g

Встроенное программное обеспечение:

Встроенное программное обеспечение накопителя информации, выполняемое на процессорном ядре RISC-V, обеспечивает:

  • преобразование логических секторов в физические (FTL – File Translation Level)
  • поиск и замену неисправных блоков (BBM – Bad Block Management)
  • работу алгоритмов выравнивания износа (Wear Leveling)
  • обработку команд интерфейса SATA
  • повышение надежности хранения и передачи данных (защита данных при внезапном отключении питания, контроль температуры и т.д.)

Структурная схема:

* в режиме DRAM-less интерфейс к массиву динамической памяти (SDRAM) не используется

SATA 3.0 PHY – приёмопередатчик физического уровня (physical layer) интерфейса SATA 6Gb/s
SATA 3.0 контроллер – приёмопередатчик уровня соединений (link layer) и транспортного уровня (transport layer) интерфейса SATA 6Gb/s
DMA контроллер – аппаратный блок организации обмена информации между интерфейсом SATA 6Gb/s и интерфейсом к NAND флеш-памяти
Флеш контроллер – четырёхканальный приёмопередатчик к массиву NAND флеш-памяти, соответствующий спецификациям ONFI 3.0 и Toggle 2.0
RISC-V – процессорное ядро исполняет алгоритмы, необходимые для организации хранения данных в массиве NAND флеш-памяти и реализации уровней приложений интерфейса SATA 6Gb/s (application layer)
I2C, SPI, UART, GPIO – интерфейсы для подключения внешней периферии (датчиков, памяти)
JTAG – отладочный интерфейс
SDRAM PHY – преобразователь интерфейса физического уровня синхронной динамической памяти, поддерживает память DDR3 или DDR3L
SDRAM контроллер – контроллер интерфейса синхронной динамической памяти, поддерживает память DDR3 или DDR3L
Буфер SRAM – используется для хранения таблицы связи между логическими и физическими секторами в случае поблочной адресации
TCM – тесно связанная память, которая используется для хранения инструкций данных процессорного ядра
БЧХ кодеки – аппаратные блоки помехоустойчивого кодирования/декодирования для использования совместно с SLC и MLC NAND флеш-памятью
Термодатчик – используется для контроля температурного режима
POR – блок генерации сигнала сброса после подачи питания
LDO – преобразователь постоянного тока при входном напряжении питания 3,3 В
Power Monitor – блок контроля напряжений питания

Хотите купить? Отправьте запрос!

* Соглашаюсь на обработку персональных данных

Отправить