1936BK015 контроллер NAND флеш-памяти для флеш‑накопителей с интерфейсом USB 3.0

Контроллер NAND флеш-памяти в металлокерамическом корпусе предназначен для создания высокоскоростных твердотельных накопителей с интерфейсом USB 3.0, отличающихся повышенной надежностью и расширенным диапазоном рабочих температур

Преимущества:

  • Интерфейс USB 3.0 с поддержкой USB 2.0
  • Поддержка SLC, MLC, TLC, 3D NAND флеш-памяти ёмкостью до 2 Тбайт
  • Скорость чтения/записи данных по последовательным адресам 300/250 Мбайт/с
  • Стойкость к экстремальным условиям эксплуатации
  • Гарантия отсутствия недекларированных возможностей: схемотехника, топология и встроенное программное обеспечение разработаны специалистами НПП «Цифровые решения»

Дата начала серийных поставок I квартал 2021 года

По вопросам приобретения или для уточнения характеристик обращайтесь по электронной почте sales@dsol.ru или по телефону +7 (495) 778-19-58

Описание:

Чтение и запись данных реализованы с помощью двух независимых каналов. Поддержка стандарта ONFI 3.0 позволяет читать и записывать данные со скоростью 400 MT/s на один канал. Микросхема 1936ВК015 поддерживает работу с NAND флеш-памятью по страницам размером 2/4/8/16 Кбайт. Аппаратный блок коррекции ошибок обеспечивает исправление до 72 битовых ошибок в блоке размером 1 Кбайт с помощью кодов БЧХ.

Основные характеристики:

  • Интерфейс USB 3.0 с поддержкой USB 2.0
  • Скорость чтения/записи данных по последовательным адресам 300/250 Мбайт/с
  • NAND флеш интерфейс:
    • Поддержка SLC, MLC, TLC, 3D NAND флеш-памяти ёмкостью до 2 Тбайт
    • 2-х канальный флеш интерфейс
    • 8 выводов выбора внешнего устройства (Chip Enable)
  • Процессор:
    • Ядро RISC-V
    • Разрядность 32 бит
    • Количество ядер 1 шт.
  • Встроенный датчик температуры
  • Технология изготовления кристаллов 40 нм
  • Корпус:
    • Металлокерамический корпус МК 5182.100-1, тип QLCC-100
    • Количество выводов 100 шт.
    • Размер корпуса 13,8х13,8х2,23 мм
    • Шаг выводов 0,5 мм
  • Напряжение питания ядра 1,1 B
  • Рабочая температура от – 60 до + 85 °С
  • Ударопрочность 1 500 g

Встроенное программное обеспечение:

Встроенное программное обеспечение накопителя информации, выполняемое на процессорном ядре RISC-V, обеспечивает:

  • преобразование логических секторов в физические (FTL – File Translation Level)
  • поиск и замену неисправных блоков (BBM – Bad Block Management)
  • работу алгоритмов выравнивания износа (Wear Leveling)
  • обработку команд интерфейса USB
  • повышение надежности хранения и передачи данных (защита данных при внезапном отключении питания, контроль температуры и т.д.)

Структурная схема:

USB 3.0 PHY – приёмопередатчик физического уровня (physical layer) интерфейса USB 3.0
USB 3.0 контроллер – приёмопередатчик уровня соединений (link layer) и транспортного уровня (transport layer) интерфейса USB 3.0
DMA контроллер – аппаратный блок организации обмена информацией между контроллером интерфейса USB 3.0 и флеш контроллером
Флеш контроллер – двухканальный контроллер интерфейса подключения NAND флеш-памяти, соответствующий спецификациям ONFI 3.0 и Toggle 2.0
RISC-V – процессорное ядро, исполняющее алгоритмы, необходимые для организации хранения данных в массиве NAND флеш-памяти и реализации уровней приложений интерфейса USB 3.0 (application layer)
I2C, SPI, UART, GPIO – интерфейсы для подключения внешних устройств (датчиков, памяти)
Буфер SRAM – память для хранения таблицы связи между адресами логических и физических блоков
TCM – память с быстрым доступом (тесно связанная память), которая используется для хранения данных процессорного ядра
БЧХ кодеки – аппаратные блоки помехоустойчивого кодирования/декодирования
Датчик температуры – цифровой датчик контроля температурного режима
POR – блок генерации сигнала сброса после подачи питания
LDO – трёхканальный линейный стабилизатор напряжения с малым падением напряжения
PLL – блок формирования тактовых частот
POR – блок контроля напряжений питания и формирования сигнала сброса

Хотите купить? Отправьте запрос!

* Соглашаюсь на обработку персональных данных

Отправить