СБИС - датчик тяжелых заряженных частиц

 

Микросхема разработана  совместно с НИИ космического приборостроения для применения в составе сложных электронных устройств и приборов, подверженных воздействию ионизирующего излучения, например, в орбитальных спутниковых комплексах, пилотируемых космических кораблях и пр.

Микросхема СБИС СОЗУ действует как датчик ионизирующего излучения, позволяющий определять интенсивность воздействующего излучения, а также в некоторых случаях и его спектр. Принцип действия датчика основан на способности элементов с памятью логического состояния, таких как триггеры или ячейки статической памяти, изменять логическое состояние при воздействии ионизирующего излучения. Чувствительным элементом датчика является матрица, состоящая из несимметричных 6-транзисторных ячеек статической памяти. Основной особенностью данной реализации является возможность изменения порога чувствительности путем изменения управляющего напряжения смещения. Также в составе датчика имеются несколько типов несимметричных ячеек памяти с различным начальным порогом чувствительности. Активная часть датчика разбита на четыре одинаковых по площади и составу части с возможностью независимого контроля управляющего напряжения смещения, получения данных о воздействии ионизирующего излучения, а также для возможности независимого управления напряжением питания в случае возникновения катастрофического отказа в одной из частей.

На данный момент разработан и изготовлен тестовый образец микросхемы датчика, включающий в себя все основные блоки системы, в том числе все типы несимметричных ячеек памяти. Проведено тестирование электрических параметров микросхемы и на воздействие ионизирующего излучения. В ближайшее время планируются калибровочные тесты.

Основные параметры и особенности микросхемы

 

 

Кристалл датчика ТЗЧ

 

 

 

Макет датчика ТЗЧ на отладочной плате